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2021.10.07
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窒化ガリウム(GaN)半導体基板の加工サービスのご紹介

当社は、2021年7月より窒化ガリウム(GaN)半導体基板の加工サービスを開始いたしました。

GaNとは?

GaNは半導体デバイスの高効率化、小型化、軽量化を実現するポテンシャルを持つ材料です。現在、半導体材料として主流であるシリコンと比べ、GaNは光源分野や情報通信分野等のデバイスへの応用において有利とされています。また、GaNはデバイスの消費電力の削減を可能とすることから、低炭素社会実現におけるキー技術であると言えます。

当社のGaN技術開発について

当社は、2016年よりUniversity of California Santa BarbaraのSolid State Lighting & Energy Electronics Centerに参画し、GaNのレーザーに関する研究に取り組みました。また、2018年より国立大学法人長岡技術科学大学と次世代半導体基板加工に関する共同研究を行っております。これら研究開発の成果を基に、受託基板加工サービスを開始いたしました。

受託基板加工サービスについて

当社は、GaN結晶成長後の仕上げ研磨加工やリクレーム、基板加工技術開発支援を小ロットから受託いたします。大学との共同研究などを通じて培った高品質な基板加工サービスを提供します。

今後の展開について

本サービスはGaNのみではなく、窒化アルミニウム(AlN)や炭化ケイ素(SiC)などの難加工材料にも展開いたします。また、難加工材料の4インチφ、6インチφ向け基板加工技術開発にも取り組んでまいります。高品質な基板加工サービスの提供を通して、省エネルギー半導体デバイスの普及、ひいては低炭素社会実現への貢献を目指します。

※ : リクレーム=デバイス製造時に使用した基板を再加工し、使用前と同等の品質にすること。基板の再利用によりコスト削減が可能となる。

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