Development
GaN半導体
Overview
GaN半導体
省エネルギーデバイスの普及に貢献することを目指して、GaN半導体を用いたレーザー技術、基板加工技術などの研究開発を行っています。
Information
共同研究先
長岡技術科学大学 結晶工学研究室
実績
| 2022年 | 長岡技術科学大学との共同研究の成果の一部について国際会議 The 15th MIRAI Conference on Microfabrication and Green Technology (15th MIRAI, 2022) にて発表 |
|---|---|
| 2018年 | 長岡技術科学大学との共同研究を開始 |
| 2016年 | UC Santa Barbara Solid State Lighting & Energy Electronics Center （SSLEEC）に参画 |
特許・論文情報
基板研磨に関する特許を3件出願しています（2022年9月時点）
2021年11月 長岡技術科学大学との共同研究の成果の一部について共著論文を発表しました。
Rapid Estimation of Removal Rate of Chemical Mechanical Polishing of Gallium Nitride Substrate by Quantitative Diagnosis of Cathodoluminescence Images