2025年3月5日（水）～3月7日（金）、幕張メッセ（千葉県千葉市）で開催される「SiC, GaN加工技術展 2025」に出展いたします。

「SiC, GaN加工技術展」は、2050年のカーボンニュートラル社会の実現において重要とされる、SiC, GaN*などの先進パワー半導体を用いた高度なパワーエレクトロニクス技術の普及を見据えた展示会です。次世代パワー半導体ウエハ**の量産化・低コスト化に関連するスライシング（切断）、研削・研磨・CMP加工、ウエハ評価技術などが多数展示されます。

三桜工業ブースでは、新事業、「窒化物半導体基板の受託加工サービス」などについてご紹介いたします。

皆様のご来場をお待ちしております。

概要

*GaN （窒化ガリウム）・SiC （炭化ケイ素）：ともに次世代半導体の材料で、加工が難しいとされている。三桜工業では、GaNをはじめとする次世代半導体基板の加工技術の開発に取り組んでいます。
詳細は　受託基板加工事業サイト https://wbg.sanoh.com をご覧ください。

**ウエハ：ウエハー、ウェハー、ウェーハなどと表記することもある「wafer」。単結晶のシリコン（Si）などのインゴットから切り出し、表面を研磨した円板状の薄い板のこと。この上に各種IC が作られる。
[一般社団法人電子情報技術産業連合会（JEITA） 半導体部会　https://semicon.jeita.or.jp/word/word.html より]